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标题:
看芯片识内存
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作者:
兴宁528
时间:
2012/2/17 14:53
标题:
看芯片识内存
内存芯片如按厂家所属地域来分主要有日,韩厂家,欧美及中国[含台湾省]厂家等等。看编号识内存芯片是了解内存的一个好方法,下面笔者就千辛万苦收集了一大批资料,带你去了解下它们: <BR> 主要的内存芯片厂商的名称既芯片代号如下: <BR> 现代电子HYUNDAI:HY[注:代号] <BR> 三星SAMSUNG:KM或M <BR> NBM:AAA <BR> 西门子SIEMENS:HYB <BR> 高士达LG-SEMICON:GM <BR> HITSUBISHI:M5M <BR> 富士通FUJITSU:MB <BR> 摩托罗拉MOTOROLA:MCM <BR> MATSUSHITA:MN <BR> OKI:MSM <BR> 美凯龙MICRON:MT <BR> 德州仪器TMS:TI <BR> 东芝TOSHIBA:TD或TC <BR> 日立HITACHI:HM <BR> STI:TM <BR> 日电NEC:uPD <BR> IBM:BM <BR> NPNX:NN <BR> 一.日本产系列: <BR> 主要厂家有Hitachi[日立],Toshiba[东芝],NEC[日电],Mitsubishi[三菱]等等,日产晶圆的特点是品质不错,价格稍高。 <BR> 1.HITACHI[日立]。 <BR> 日立内存质量不错,许多PC100的皆可稳上133MHz。它的稳定性好,做工精细,日立内存芯片的编号有HITACHI HM521XXXXXCTTA60或B60,区别是A60的CL是2,B60的CL是3。市面上B60的多,但完全可超133MHz外频, <BR> HITACHI的SDRAM芯片上的标识为以下格式: <BR> HM 52 XX XX 5 X X TT-XX <BR> HM代表是日立的产品,52是SDRAM,如为51则为EDO DRAM。 <BR> 第1、2个X代表容量。 <BR> 第3、4个X表示数据位宽,40、80、16分别代表4位、8位、16位。 <BR> 第5个X表示是第几个版本的内核,现在至少已经排到"F"了。 <BR> 第6个X如果是字母"L"就是低功耗。空白则为普通。 <BR> TT为TSOII封装。 <BR> 最后XX代表速度: <BR> 75:7.5ns[133MHz] <BR> 80:8ns[125MHz] <BR> A60:10ns[PC-100 CL2或3] <BR> B60:10ns[PC-100 CL3] <BR> 例如:HM5264805F-B60,是64Mbit,8位输出,100MHZ时CL是3。 <BR> 2.NEC。 <BR> NEC的SDRAM芯片上的标识通常为以下格式: <BR> μPD45 XX X X XG5-AXX X-XXX <BR> μPD4代表是NEC的产品。 <BR> "5"代表是SDRAM。 <BR> 第1、2个X代表容量。 <BR> 第3或4个X表示数据位宽,4、8、16、32分别代表4位、8位、16位、32位。当数据位宽为16位和32位时,使用两位,即占用第4个X。由于NEC的标识的长度固定,这会对下面的数字造成影响。 <BR> 第4或5个X代表Bank。"3"或"4"代表4个Bank,在16位和32位时代表2个Bank;"2"代表2个Bank。 <BR> 第5个X,如为"1"代表LVTTL。如为16位和32位的芯片,第5个X已被占用,则第5个X有双重含义,如"1"代表2个Bank和LVTTL,"3"代表4个Bank和LVTTL。 <BR> G5为TSOPII封装。 <BR> -A后的XX是代表速度: <BR> 80:8ns[125MHz] <BR> 10:10ns[PC100 CL 3] <BR> 10B:10ns较10慢,Tac为7,不完全符合PC100规范。 <BR> 12:12ns <BR> 70:[PC133] <BR> 75:[PC133] <BR> 速度后的X如果是字母"L"就是低功耗,空白则为普通。 <BR> -XXX:第一人X通常为数字,如64Mbit芯片上常为准,16Mbit芯片上常为7,规律不详。其后的XX的"JF"、"JH"、"NF"等。估计与封装外型有关:"NF"对应: 44-pinTSOP-II;"JF"对应54-pin TSOPII;"JH"对应86-pin TSOP-II。 <BR> 例如:μPD4564841G5-A80-9JF,64Mbit,8位,4个Bank,在CL=3时可工作在125MHZ下,在100MHZ时CL可设为2。 <BR> 3.TOSHIBA东芝。 <BR> TOSHIBA的芯片上的标识为以下格式: <BR> TC59S XX XX X FT X-XX <BR> TC代表是东芝的产品。 <BR> 59代表是SDRAM系列。其后的S为普通SDRAM,R为Rambus SDRAM,W为DDR SDRAM。 <BR> 第1、2个X代表容量。64为64Mbit,M7为128Mbit。 <BR> 第3、4个X表示数据位宽,04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。 <BR> 第5个X估计是用来表示内核的版本。目前常见的为"B"。 <BR> FT为TSOPII封装。 <BR> FT后如果有字母"L"就是低功耗,空白则为普通。 <BR> 最后的XX是代表速度: <BR> 75:7.5ns[133MHz] <BR> 80:8ns[125MHz] <BR> 10:10ns[100MHz CL=3] <BR> 例如:TC59S6408BFTL-80,64Mbit,8位,可正常工作在125MHz,且为低功耗型号。<BR> <BR>
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